![](¥"/UploadFile/exc_board_9/2009/01/26/yuo_ibm.jpg¥")
東芝と米IBM、米AMDは、セル面積が0.128平方マイクロメートルと、立体型としては世界最小のSRAMセルを開発し、動作を確認したと発表¥した。
東芝と米IBM、米AMDは12月17日、セル面積が0.128平方マイクロメートルと、立体型としては世界最小のSRAMセルを開発し、動作を確認したと発表¥した。より小型で高速・低消費電力なプロセッサ開発につながるとしている。
フィン形状の立体構¥造電界効果トランジスタ（FinFET）と、高誘電率（High-k）ゲート絶縁膜、メタルゲートを採用し、これまで最小だった0.274平方マイクロメートルのセルより50％以上小型化した。
従来の平面トランジスタは、シリコンチャネル部分に不純物を注入することで小型化していたが、不純物は動作の安定性を損なう可能¥性があり、これが22ナノメートル世代以降で特に大きな問題なっているという。
不純物の注入が不要なFinFETなら、特性のばらつきを抑制しながらSRAMセルの小型化が可能¥で、22ナノメートル世代以降で平面型より優位としている。
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/0812/18/news010.html
( ･∀･ )φ 東芝社員はパスポート預かりです。ｗｗ
東芝と米IBM、米AMDは12月17日、セル面積が0.128平方マイクロメートルと、立体型としては世界最小のSRAMセルを開発し、動作を確認したと発表¥した。より小型で高速・低消費電力なプロセッサ開発につながるとしている。
フィン形状の立体構¥造電界効果トランジスタ（FinFET）と、高誘電率（High-k）ゲート絶縁膜、メタルゲートを採用し、これまで最小だった0.274平方マイクロメートルのセルより50％以上小型化した。
従来の平面トランジスタは、シリコンチャネル部分に不純物を注入することで小型化していたが、不純物は動作の安定性を損なう可能¥性があり、これが22ナノメートル世代以降で特に大きな問題なっているという。
不純物の注入が不要なFinFETなら、特性のばらつきを抑制しながらSRAMセルの小型化が可能¥で、22ナノメートル世代以降で平面型より優位としている。
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/0812/18/news010.html
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【국내】토시바, IBM, AMD, 세계 최소의 입체구조트랜지스터 SRAM 셀 개발 
토시바와 미 IBM, 미 AMD는, 셀 면적이 0.128평방 마이크로 미터와 입체형으로서는 세계 최소의 SRAM 셀을 개발해, 동작을 확인했다고 발표했다.
토시바와 미 IBM, 미 AMD는 12월 17일, 셀 면적이 0.128평방 마이크로 미터와 입체형으로서는 세계 최소의 SRAM 셀을 개발해, 동작을 확인했다고 발표했다.보다 소형이고 고속·저소비 전력인 프로세서 개발로 연결되다고 하고 있다.
핀 형상의 입체구조전계 효과 트랜지스터(FinFET)와 고유전율(High-k) 게이트 절연막, 메탈 게이트를 채용해, 지금까지 최소였던 0.274평방 마이크로 미터의 셀보다 50％이상 소형화했다.
종래의 평면 트랜지스터는, 실리콘 채널 부분에 불순물을 주입하는 것으로 소형화하고 있었지만, 불순물은 동작의 안정성을 해치는 가능성이 있어, 이것이 22나노미터 세대 이후에 특히 큰 문제 되어 있다고 한다.
불순물의 주입이 불필요한 FinFET라면, 특성의 격차를 억제하면서 SRAM 셀의 소형화가 가능으로, 22나노미터 세대 이후에 평면형보다 우위로 하고 있다.
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/0812/18/news010.html
( ·∀· )φ 토시바 사원은 패스포트예 빌려입니다.ww
토시바와 미 IBM, 미 AMD는 12월 17일, 셀 면적이 0.128평방 마이크로 미터와 입체형으로서는 세계 최소의 SRAM 셀을 개발해, 동작을 확인했다고 발표했다.보다 소형이고 고속·저소비 전력인 프로세서 개발로 연결되다고 하고 있다.
핀 형상의 입체구조전계 효과 트랜지스터(FinFET)와 고유전율(High-k) 게이트 절연막, 메탈 게이트를 채용해, 지금까지 최소였던 0.274평방 마이크로 미터의 셀보다 50％이상 소형화했다.
종래의 평면 트랜지스터는, 실리콘 채널 부분에 불순물을 주입하는 것으로 소형화하고 있었지만, 불순물은 동작의 안정성을 해치는 가능성이 있어, 이것이 22나노미터 세대 이후에 특히 큰 문제 되어 있다고 한다.
불순물의 주입이 불필요한 FinFET라면, 특성의 격차를 억제하면서 SRAM 셀의 소형화가 가능으로, 22나노미터 세대 이후에 평면형보다 우위로 하고 있다.
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/0812/18/news010.html
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